0 引言
      半导体激光器具有体积小、结构简单、功耗低、光/电转换效率高和易于调制等特点，在民用和军用方面有较好的应用前景[1-5]。目前，半导体激光器在通信、测距、加工和医疗等领域应用广泛[6]。随着半导体光电子技术的发展，各行业对半导体激光器的需求愈发强烈，对其性能的要求也越来越高。
　　 半导体激光器的驱动源分连续型驱动和脉冲驱动2种模式。连续型驱动模式一般在激光二极管（LD）的阈值条件附近设置直流偏置，调节驱动电流控制其输出，在此过程中必须为LD增设反馈网络，通过负反馈调节实时控制驱动电流，确保LD稳定地工作；脉冲驱动模式中的驱动源以特定脉宽、频率的信号驱动LD，对于脉冲电流纹波要求不高的场景，一般无需增设上述反馈网络。因此，脉冲驱动模式更具发展潜力。在脉冲驱动模式下，由于驱动过程中只在PN结产生微弱的热效应，故在半导体激光器输出功率较低的情况下可以不为其增设温控系统。与连续驱动模式相比，脉冲驱动模式下的LD能承受的脉冲信号幅值较高，导致LD输出光束的能量强度较大[1]。因此，研制具有较高技术指标要求（如研制脉冲参数、输出功率和重复频率等）的窄脉冲半导体激光器具有重要的意义。本文综述半导体脉冲激光器的发展与研究现状，并对半导体激光器性能的提升方式进行介绍。

2 结束语
    综上所述，半导体脉冲激光器主要通过优化激光器结构、材料和加工工艺及改进驱动电源特性的2种方式实现性能提升。本文主要对这2种方式的半导体脉冲激光器发展情况进行总结与分析，着重介绍了提升驱动电源特性的5种方法。目前，脉冲宽度在5~10 ns的技术相对成熟，ps级脉宽已成为该领域的必然发展趋势。但是，激光器在追求大功率的同时往往存在功耗高的问题，仍需进一步研究和解决。随着数字化与半导体光电子技术的发展，各领域对半导体脉冲激光器需求愈来愈大，因此研究大功率、窄脉冲、低功耗和小型化半导体脉冲激光器具有重大意义。