引用本文:

李博恺,何进. 一种基于40 nm CMOS工艺的25 Gb/s 新型CTLE电路[J]. 光通信技术,2023,47(6):32-37.

一种基于40 nm CMOS工艺的25 Gb/s 新型CTLE电路

李博恺,何 进*

(武汉大学 物理科学与技术学院,武汉 430072)

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摘要:为了解决传统连续时间线性均衡器(CTLE)均衡能力较差的问题,提出了一种基于40 nm 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的25 Gb/s新型CTLE电路,该电路采用并联电感峰化、负电容零点补偿和输出缓冲技术。介绍了并联电感峰化及无源器件对CTLE频率特性的影响,最后对新型CTLE电路进行了仿真。仿真结果表明:在数据传输速率为25 Gb/s时,该CTLE电路均衡后的-3 dB带宽从8.5 GHz拓展到21.3 GHz;输出信号眼图的差分电压峰峰值为410 mV,功耗为8.62 mW;整体电路版图面积为667μm×717μm,具备功耗低和面积小的特点。

关键词:高速光通信;连续时间线性均衡器;电感峰化;负电容补偿;互补金属氧化物半导体

中图分类号:TN432 文献标志码:文章编号:1002-5561(2023)06-0032-06

DOI:10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2023.06.007

0 引言

常用的均衡器电路主要包括前馈均衡器(FFE)、连续时间线性均衡器(CTLE)以及判决反馈均衡器(DFE)。FFE和DFE这2种均衡器的工作原理较为相似,它们的均衡能力由抽头系数控制。理论上,抽头系数越多,恢复的信号就越接近理想波形,因此可以更彻底地消除码间串扰的影响。然而,这也会增加设计的难度和芯片的面积[1-2]。与FFE和DFE这2种均衡器相比,CTLE则具有结构简单、能够对长拖尾的码间串扰进行均衡等特点。

近年来,均衡器已成为通信系统接收端不可或缺的重要组件。然而,由于数据传输速率日益提高,传统的CTLE已无法满足均衡需求。因此,为了解决传统CTLE均衡能力不足的问题,各种改进型的CTLE结构被提出。文献[3]采用有源电感结构和交叉耦合电阻,实现了较好的均衡效果和较高的传输速率,但是其芯片面积和功耗很大。在文献[4]中,CTLE电路采用了多级并联反馈网络,虽然高频增益得到提高、功耗得到降低,但是输出眼图的电压峰峰值很小,不利于后级电路的工作,且数据速率较低,仅有6.25 Gb/s。

为了提高CTLE电路的高频增益和减小芯片面积,本文提出一种基于40 nm CMOS工艺的25 Gb/s 新型CTLE电路。


3 结束语

本文基于40 nm CMOS工艺提出了一款25 Gb/s新型CTLE电路。该CTLE电路采用了电阻、电容源极负反馈结构,并结合电感峰化、负电容零点补偿和输出缓冲技术以提高电路的增益带宽积。仿真结果表明:当输入25 Gb/s的NRZ信号时,新型CTLE电路可以将均衡后的-3 dB带宽从8.5 GHz拓展到21.3 GHz,有效地补偿高频信号的衰减分量。该均衡器有效地改善了传统CTLE的不足之处,其电路面积小、功耗低、均衡能力强,满足了高速光通信系统的应用需求。