这篇文章主要探讨了光子连续域束缚态（Bound State in the Continuum, BIC）及其互补的反连续域束缚态（anti-Bound State in the Continuum, anti-BIC）在集成光子器件中的应用研究。以下是对文件核心内容的总结：

1. BIC与anti-BIC机制概述：

• BIC：存在于辐射连续域的无辐射态，理论上具有无穷大的Q因子，能够实现强的光场局域能力和极高的品质因子。

• anti-BIC：通过泄露通道间的相长干涉实现束缚态与连续域的强耦合，显著增强辐射损耗，具有偏振敏感与强辐射特性。

2. BIC在集成光子器件中的应用：

• 低损耗波导：BIC波导通过泄露通道间的相消干涉抑制模式泄露，大幅降低模式损耗。例如，在绝缘体上硅脊波导和铌酸锂平台上验证了BIC特性，并扩展至多波导和多层异质波导体系，提升了器件性能。

• 衍射调控硅波导光栅天线：将BIC应用于硅波导光栅天线（SWGA），提出不需要极小特征尺寸的衍射调控方法。通过精确设计波导宽度达到临界宽度，形成衍射受限的准BIC，实现厘米级的传播长度和超小远场发散角。

• 高Q微腔：BIC机制可在脊型波导中形成高Q微腔，并与硅基光子平台完全兼容。提出了免刻蚀的一维光子晶体腔和高Q BIC超构光栅等新型BIC微腔结构，实现了超高Q因子，并验证了其作为温度传感器的可行性。

3. anti-BIC在集成光子器件中的应用：

• 起偏器：基于anti-BIC机制，在硅基和铌酸锂平台上实现了低损耗起偏器。通过调控脊型波导宽度和侧壁倾角，增强模式间的耦合强度，将器件尺寸缩减至50 μm以内，同时实现了极低插入损耗和极高消光比。

4. 具体研究成果与数据：

• BIC-SWGA：波导宽度达到临界宽度600 nm时，衍射强度极低（α ≈ 3.3×10⁻³ dB/μm），实现厘米级传播长度和超小远场发散角（0.027°）。

• BIC高Q微腔：免刻蚀BIC一维光子晶体腔Q因子超过12000，整体尺寸约为100 μm；超构光栅BIC腔Q因子高达5200，整体尺寸约为180 μm，温度灵敏度为77 pm/K。

• anti-BIC起偏器：器件长度缩减至46 μm，插入损耗<0.04 dB，偏振消光比>20 dB，带宽>140 nm。

5. 未来展望：

• BIC/anti-BIC研究将向新材料体系（如硫系化合物、钽酸锂、锆钛酸铅等）发展，开拓其在中红外等波段与非线性等领域的应用潜力。

• 通过引入相变材料、电光调控等技术实现器件的动态重构，最终在片上实现多功能集成的BIC/anti-BIC光子系统，为光通信、计算、传感与量子信息技术注入新动力。